钌靶
钌靶（Ruthenium Sputtering Target）是以高纯钌（Ru）为原料，经精炼、熔炼、锻造、精密加工制成的铂族贵金属溅射靶材，主要用于物理气相沉积（PVD）磁控溅射工艺。产品具备高熔点、高硬度、优异抗氧化性与化学稳定性，可制备均匀致密的钌薄膜，广泛应用于半导体先进存储、集成电路互连、扩散阻挡层、数据存储与显示器件等领域。钌靶（Ruthenium Sputtering Target）是以高纯钌（Ru）为原料，经精炼、熔炼、锻造、精密加工制成的铂族贵金属溅射靶材，主要用于物理气相沉积（PVD）磁控溅射工艺。产品具备高熔点、高硬度、优异抗氧化性与化学稳定性，可制备均匀致密的钌薄膜，广泛应用于半导体先进存储、集成电路互连、扩散阻挡层、数据存储与显示器件等领域。
产品描述
本系列钌靶采用高纯钌原料生产，通过电弧熔炼与晶粒细化工艺，实现高致密度与均匀微观组织。产品可提供平面靶、旋转靶等形态，支持铟绑定 / 弹性体绑定背板服务，适配直流（DC）溅射。
性能特点：
l 纯度高，常规等级，可提供超高纯规格
l 熔点极高，高温稳定性好
l 硬度高、耐磨损、抗氧化与耐腐蚀性能优良
l 成膜均匀、致密度高，适合先进半导体制程
产品分类：
如需定制尺寸、厚度、纯度或获取技术参数，欢迎联系咨询。我们可根据您的溅射设备、镀膜需求与尺寸规格，提供匹配的材料解决方案。
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分类维度 |
产品类型 |
核心特点 |
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纯度等级 |
不同纯度等级 |
半导体、显示、存储器件通用 |
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产品形态 |
圆形平面钌靶 |
标准规格，适配多数溅射设备 |
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矩形 / 块状钌靶 |
大面积镀膜适用 |
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旋转钌靶 |
大面积、高效率沉积适用 |
典型应用：
l 半导体：DRAM/MIM 电容电极、互连扩散阻挡层
l 先进存储：磁存储、相变存储器、电阻式存储器
l 集成电路：铜互连种子层、阻隔层、逻辑器件
l 显示器件：平板显示、OLED 薄膜电极
l 光电子与光伏：光学涂层、光伏电池功能层
l 精密电子：耐磨电触点、厚膜电阻、传感器
